IXTA1R4N120P

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

1.2 kV

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1.4 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

10.5 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

24.8 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

86 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

Polar

Verpackung:

Rohr

Höhe:

4.83 mm

Länge:

9.65 mm

Serie:

IXTA1R4N120

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

Polarer Leistungs-MOSFET

Breite:

10.41 mm

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

0.8 S

Abfallzeit:

29 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

27 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

78 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

25 ns

Gewichtseinheit:

0.081130 oz

Tags

IXTA1R4N12, IXTA1R4, IXTA1R, IXTA1, IXTA, IXT