NTJD4158CT1G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-363-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V, 20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

250 mA, 880 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.5 Ohms, 500 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

800 mV, 450 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

4.5 V, - 2.5 V

Qg - Gate-Ladung:

0.9 nC, 2.2 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

270 mW

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.9 mm

Länge:

2 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

NTJD4158C

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Breite:

1.25 mm

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

0.08 S, 3 S

Abfallzeit:

78 ns, 3.5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

66 ns, 6.5 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

56 ns, 13.5 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

15 ns, 5.8 ns

Gewichtseinheit:

0.000988 oz

Tags

NTJD4158, NTJD415, NTJD41, NTJD4, NTJD, NTJ