PBSS5140U,135

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Nexperia

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

UMT-3

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

- 40 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

- 40 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

- 5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

- 500 mV

Maximaler DC-Kollektorstrom:

- 1 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

150 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

300 at 1 mA, 5 V

Höhe:

1 mm

Länge:

2.2 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

1.35 mm

Marke:

Nexperia

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

300 at 1 mA, 5 V, 300 at 100 mA, 5 V, 250 at 500 mA, 5 V, 160 at 1 A, 5 V

Pd - Verlustleistung:

350 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Qualifikation:

AEC-Q101

Werkspackungsmenge:

10000

Unterkategorie:

Transistoren

Teil # Aliase:

/T3 PBSS5140U

Tags

PBSS5140U, PBSS514, PBSS51, PBSS5, PBSS, PBS