ZX3CD2S1M832TA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

T

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

MLP-832-8

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

20 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

25 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

- 7.5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

3.5 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

180 MHz

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

300

Höhe:

1 mm

Länge:

3 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

2 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

300 at 10 mA, 2 V, 300 at 100 mA, 2 V, 150 at 2 A, 2 V, 15 at 6 A, 2 V

Pd - Verlustleistung:

3000 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

ZX3CD, ZX3C, ZX3