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CY14V101PS-SF108XI

CY14V101PS-SF108XI
Mfr. #:
CY14V101PS-SF108XI
Hersteller:
Cypress Semiconductor
Beschreibung:
NVRAM 1-Mbit (128KX8) Quad SPI nvSRAM
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
CY14V101PS-SF108XI Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
CY14V101PS-SF108XI Mehr Informationen CY14V101PS-SF108XI Product Details
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Cypress Semiconductor
Produktkategorie:
NVRAM
RoHS:
Y
Paket / Koffer:
SOIC-16
Oberflächentyp:
SPI
Speichergröße:
1 Mbit
Organisation:
128 k x 8
Datenbusbreite:
8 bit
Versorgungsspannung - Max.:
3.6 V
Versorgungsspannung - Min.:
2.7 V
Betriebsversorgungsstrom:
33 mA
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 85 C
Serie:
CY14V101
Verpackung:
Rohr
Marke:
Cypress Semiconductor
Montageart:
SMD/SMT
Feuchtigkeitsempfindlich:
ja
Pd - Verlustleistung:
1 W
Produktart:
NVRAM
Werkspackungsmenge:
92
Unterkategorie:
Speicher & Datenspeicherung
Gewichtseinheit:
0.023492 oz
Tags
CY14V101P, CY14V101, CY14V10, CY14V1, CY14V, CY14, CY1
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
NVRAM NVSRAM Serial-SPI 1Mbit 3V/3.3V 16-Pin SOIC Tube
***et
1MB NVSRAM WITH A QUAD SERIAL PERIPHERAL INTERFACE
***i-Key
IC NVSRAM 1M SPI 108MHZ 16SOIC
***ark
Nv Sram, 1Mbit, Soic-16; Memory Size:1Mbit; Memory Organisation:128K X 8Bit; Read Access Time:10Ns; Write Access Time:10Ns; Supply Voltage Min:2.7V; Supply Voltage Max:3.6V; Memory Case Style:soic; No. Of Pins:16Pins; Ic Interface Rohs Compliant: Yes
CY14V101 1-Mb Quad SPI nvSRAM
Cypress Semiconductor CY14V101 1-Mbit (128K × 8) Quad SPI nvSRAM couples a 1-Mbit nvSRAM with a QPI interface. The QPI enables writing and reading of the memory in either a single (one I/O channel for one bit per clock cycle), dual (two I/O channels for two bits per clock cycle), or quad (four I/O channels for four bits per clock cycle) through the use of specific opcodes. The memory is organized as 128Kbytes each consisting of SRAM and nonvolatile SONOS FLASH Quantum Trap cells. The SRAM provides infinite read and write cycles, while the nonvolatile cells provide storage of data. Data transfers from SRAM to the nonvolatile cells (STORE operation) occur automatically at power-down. On power-up, data is restored to the SRAM from the nonvolatile cells (RECALL operation). Users may also initiate the STORE and RECALL operations through SPI instructions.Learn More
Bild Teil # Beschreibung
C1206C184KARACAUTO

Mfr.#: C1206C184KARACAUTO

OMO.#: OMO-C1206C184KARACAUTO

 Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 250V 0.18uF X7R 1206 10% AEC-Q200
Verfügbarkeit
Aktie:
22
Auf Bestellung:
2005
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1
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13,74 $
10
12,91 $
129,10 $
25
12,55 $
313,75 $
50
12,40 $
620,00 $
100
11,05 $
1 105,00 $
250
10,50 $
2 625,00 $
500
10,40 $
5 200,00 $
1000
10,05 $
10 050,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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