NSS40301MDR2G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOIC-Narrow-8

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Dual

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

40 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

40 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

6 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

3 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

100 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

NSS40301MD

DC-Stromverstärkung hFE Max:

200 at 10 mA, 2 V

Höhe:

1.5 mm

Länge:

5 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

4 mm

Marke:

ON Semiconductor

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

200 at 10 mA, 2 V, 200 at 500 mA, 2 V, 180 at 1 A, 2 V, 180 at 2 A, 2 V

Pd - Verlustleistung:

783 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.005044 oz

Tags

NSS40301MDR, NSS40301MD, NSS40301, NSS403, NSS40, NSS4, NSS