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SSM6N61NU,LF

SSM6N61NU,LF
Mfr. #:
SSM6N61NU,LF
Hersteller:
Toshiba
Beschreibung:
MOSFET Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch ID: 4A
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SSM6N61NU,LF Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
SSM6N61NU,LF DatasheetSSM6N61NU,LF Datasheet (P4-P6)SSM6N61NU,LF Datasheet (P7-P8)
ECAD Model:
Mehr Informationen:
SSM6N61NU,LF Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
UDFN-6
Anzahl der Kanäle:
2 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
20 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
4 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
108 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
400 mV
Vgs - Gate-Source-Spannung:
8 V
Qg - Gate-Ladung:
3.6 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
2 W
Aufbau:
Dual
Kanalmodus:
Erweiterung
Verpackung:
Spule
Höhe:
0.75 mm
Länge:
2 mm
Produkt:
MOSFETs
Serie:
SSM6N61
Transistortyp:
2 N-Channel
Typ:
Silizium-N-Kanal-MOS
Breite:
2 mm
Marke:
Toshiba
Vorwärtstranskonduktanz - Min:
12 S
Produktart:
MOSFET
Werkspackungsmenge:
3000
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
45 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
25 ns
Tags
SSM6N6, SSM6N, SSM6, SSM
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Pb-F Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch ID: 4A
***i-Key
MOSFET 2N-CH 20V 4A UDFN
***
2-IN-1 MOSFETS LOAD/SWTCH
U-MOS VI Small Signal MOSFETs
Toshiba U-MOS VI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. Offered in single, dual, n-channel, p-channel and various voltage versions, they offer a wide variety of options for the design engineer. Each address the need to support high-current charging with low voltage and low RDS(on) requirements. These compact packages and and low voltage operation make them ideal solutions for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.
Bild Teil # Beschreibung
BQ29700DSER

Mfr.#: BQ29700DSER

OMO.#: OMO-BQ29700DSER

 Battery Management Second Level Protector
M24128-DFDW6TP

Mfr.#: M24128-DFDW6TP

OMO.#: OMO-M24128-DFDW6TP

 EEPROM 128-Kbit I2C EEProm 1MHz 1.7V to 5.5V
TPS62822DLCT

Mfr.#: TPS62822DLCT

OMO.#: OMO-TPS62822DLCT

 Switching Voltage Regulators CANNONDALE 2A DEVICE
LTM4661EY#PBF

Mfr.#: LTM4661EY#PBF

OMO.#: OMO-LTM4661EY-PBF

 Switching Voltage Regulators 15V, 4A Step-Up Module Regulator
MCT0603MZ0000ZP500

Mfr.#: MCT0603MZ0000ZP500

OMO.#: OMO-MCT0603MZ0000ZP500

 Thin Film Resistors - SMD .1W ZEROohm Jumper
ESP32-WROVER-I

Mfr.#: ESP32-WROVER-I

OMO.#: OMO-ESP32-WROVER-I

 WiFi Modules (802.11) SMD Module, ESP32-D0WDQ6, 64Mbits PSRAM, 32Mbits SPI flash, IPEX Antenna connector
ESP32-WROVER-I

Mfr.#: ESP32-WROVER-I

OMO.#: OMO-ESP32-WROVER-I-ESPRESSIF-SYSTEMS

 SMD MODULE, ESP32-D0WDQ6, 32MBIT
RC0402JR-13330RL

Mfr.#: RC0402JR-13330RL

OMO.#: OMO-RC0402JR-13330RL-433

 Res Thick Film 0402 330 Ohm 5% 0.063W(1/16W) ±100ppm/C Molded SMD Paper T/R
RC0402JR-13470RL

Mfr.#: RC0402JR-13470RL

OMO.#: OMO-RC0402JR-13470RL-433

 Res Thick Film 0402 470 Ohm 5% 0.063W(1/16W) ±100ppm/C Molded SMD Paper T/R
MCT0603MZ0000ZP500

Mfr.#: MCT0603MZ0000ZP500

OMO.#: OMO-MCT0603MZ0000ZP500-VISHAY

 Thin Film Resistors - SMD .1W ZEROohm Jumpe
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
1987
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10
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100
0,22 $
22,10 $
1000
0,16 $
165,00 $
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