STE250NS10

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

ISOTOP-4

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

220 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

5.5 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

500 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

9.1 mm

Länge:

38.2 mm

Serie:

STE250NS10

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

25.5 mm

Marke:

STMicroelectronics

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

60 S

Abfallzeit:

300 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

380 ns

Werkspackungsmenge:

10

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

1100 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

110 ns

Gewichtseinheit:

1 oz

Tags

STE250, STE25, STE2, STE