IXFK520N075T2

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-264-3

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

75 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

520 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2.2 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

545 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

1.25 kW

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

HiPerFET

Verpackung:

Rohr

Höhe:

26.59 mm

Länge:

20.29 mm

Serie:

IXFK520N075

Typ:

TrenchT2 GigaMOS HiperFET Power MOSFET

Breite:

5.31 mm

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

65 S

Abfallzeit:

35 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

36 ns

Werkspackungsmenge:

25

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

80 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

48 ns

Gewichtseinheit:

0.264555 oz

Tags

IXFK52, IXFK5, IXFK, IXF