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MRF8S21200HSR6

MRF8S21200HSR6
Mfr. #:
MRF8S21200HSR6
Hersteller:
NXP Semiconductors
Beschreibung:
FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI-1230HS
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
MRF8S21200HSR6 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
MRF8S21200HSR6 Mehr Informationen MRF8S21200HSR6 Product Details
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
NXP / Freescale
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
Serie
MRF8S21200H
Verpackung
Spule
Gewichtseinheit
0.300472 oz
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
NI-1230S
Technologie
Si
Gewinnen
18.1 dB at 2.17 GHz
Ausgangsleistung
48 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Arbeitsfrequenz
2.11 GHz to 2.17 GHz
Vgs-Gate-Source-Spannung
10 V
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
65 V
Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage
2 V
Transistor-Polarität
N-Kanal
Tags
MRF8S212, MRF8S21, MRF8S2, MRF8S, MRF8, MRF
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***escale Semiconductor
W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 2110-2170 MHz, 48 W Avg., 28 V
***ical
Trans RF MOSFET N-CH 65V 5-Pin NI-1230S T/R
***et
Trans MOSFET N-CH 65V 5-Pin NI-1230S T/R
***hardson RFPD
RF POWER TRANSISTOR LDMOS
***i-Key
FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI-1230HS
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
MRF8S21200HSR6
DISTI # MRF8S21200HSR6-ND		NXP SemiconductorsFET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI-1230HS
RoHS: Compliant
Min Qty: 150
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    MRF8S21200HSR6
    DISTI # MRF8S21200HSR6    		Avnet, Inc.Trans MOSFET N-CH 65V 5-Pin NI-1230S T/R - Bulk (Alt: MRF8S21200HSR6)
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 4
    Container: Bulk    		Americas - 0
    • 4:$103.3900
    • 6:$99.2900
    • 10:$95.3900
    • 20:$91.9900
    • 40:$90.1900
    MRF8S21200HSR6
    DISTI # 841-MRF8S21200HSR6    		NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors HV8 2.1GHZ 48W NI1230HS
    RoHS: Compliant    		0
      MRF8S21200HSR6Freescale SemiconductorRF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
      RoHS: Compliant      		139
      • 1000:$103.7000
      • 500:$109.1600
      • 100:$113.6400
      • 25:$118.5100
      • 1:$127.6300
      Bild Teil # Beschreibung
      MRF8S21200HR5

      Mfr.#: MRF8S21200HR5

      OMO.#: OMO-MRF8S21200HR5

      		 RF MOSFET Transistors HV8 2.1GHZ 48W NI1230HS
      MRF8S21140HR3

      Mfr.#: MRF8S21140HR3

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      		 RF MOSFET Transistors RF FET HV8 2GHZ 140W NI780
      MRF8S21140HSR3

      Mfr.#: MRF8S21140HSR3

      OMO.#: OMO-MRF8S21140HSR3

      		 RF MOSFET Transistors HV8 2GHZ 140W NI780S
      MRF8S21140HSR5

      Mfr.#: MRF8S21140HSR5

      OMO.#: OMO-MRF8S21140HSR5-NXP-SEMICONDUCTORS

      		 FET RF 65V 2.14GHZ NI780S
      MRF8S21170H

      Mfr.#: MRF8S21170H

      OMO.#: OMO-MRF8S21170H-1190

      		 Neu und Original
      MRF8S21170HSR3

      Mfr.#: MRF8S21170HSR3

      OMO.#: OMO-MRF8S21170HSR3-1190

      		 Neu und Original
      MRF8S21120HSR5

      Mfr.#: MRF8S21120HSR5

      OMO.#: OMO-MRF8S21120HSR5-1152

      		 RF POWER TRANSISTOR
      MRF8S21200HSR6

      Mfr.#: MRF8S21200HSR6

      OMO.#: OMO-MRF8S21200HSR6-NXP-SEMICONDUCTORS

      		 FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI-1230HS
      MRF8S21200HR6

      Mfr.#: MRF8S21200HR6

      OMO.#: OMO-MRF8S21200HR6-NXP-SEMICONDUCTORS

      		 RF MOSFET Transistors HV8 2.1GHZ 48W NI1230HS
      MRF8S21100HSR3

      Mfr.#: MRF8S21100HSR3

      OMO.#: OMO-MRF8S21100HSR3-NXP-SEMICONDUCTORS

      		 FET RF 65V 2.17GHZ NI780S
      Verfügbarkeit
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      Available
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      Menge
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      ext. Preis
      1
      173,85 $
      173,85 $
      10
      165,16 $
      1 651,58 $
      100
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      15 646,50 $
      500
      147,77 $
      73 886,25 $
      1000
      139,08 $
      139 080,00 $
      Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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