RCX200N20

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220FP-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

200 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

20 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

310 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

40 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.23 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

4.8 mm

Länge:

15.4 mm

Produkt:

MOSFET

Serie:

RCX200N20

Transistortyp:

1 N-channel

Typ:

Leistungs-MOSFET

Breite:

10.3 mm

Marke:

ROHM Halbleiter

Abfallzeit:

45 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

100 ns

Werkspackungsmenge:

500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

60 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

35 ns

Teil # Aliase:

RCX200N20

Gewichtseinheit:

0.211644 oz

Tags

RCX200, RCX20, RCX2, RCX