TK3R1E04PL,S1X

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

128 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2.5 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

63.4 nC

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

87 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Höhe:

15.1 mm

Länge:

10.16 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

4.45 mm

Marke:

Toshiba

Abfallzeit:

27 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

12 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

83 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

28 ns

Gewichtseinheit:

0.063493 oz

Tags

TK3R1E, TK3R1, TK3R, TK3