TSM130NB06CR RLG

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Taiwan Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PDFN56-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

51 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

13 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

36 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

83 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

TSM

Transistortyp:

Einzelner N-Kanal-Leistungs-MOSFET

Marke:

Taiwan Halbleiter

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

45 S

Abfallzeit:

17 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

19 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

17 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

3 ns

Tags

TSM13, TSM1, TSM