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TK3R1P04PL,RQ

TK3R1P04PL,RQ
Mfr. #:
TK3R1P04PL,RQ
Hersteller:
Toshiba
Beschreibung:
MOSFET N-Ch 40V 4670pF 60nC 130A 87W
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TK3R1P04PL,RQ Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
TK3R1P04PL,RQ DatasheetTK3R1P04PL,RQ Datasheet (P4-P6)TK3R1P04PL,RQ Datasheet (P7-P9)
ECAD Model:
Mehr Informationen:
TK3R1P04PL,RQ Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
TO-252-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
40 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
130 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
2.5 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
1.4 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Qg - Gate-Ladung:
60 nC
Maximale Betriebstemperatur:
+ 175 C
Pd - Verlustleistung:
87 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Verpackung:
Spule
Serie:
TK3R1P04PL
Transistortyp:
1 N-Channel
Marke:
Toshiba
Abfallzeit:
19 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
8 ns
Werkspackungsmenge:
2500
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
72 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
20 ns
Gewichtseinheit:
0.007055 oz
Tags
TK3R1P, TK3R1, TK3R, TK3
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
***et
Power MOSFET N-Channel 40V 130A 3-Pin DPAK T/R
***i-Key
MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK
U-MOSIX-H Low Voltage Enhancement Mode MOSFETs
Toshiba U-MOSIX-H Low Voltage N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are high-efficiency MOSFETs that are specifically designed for use in the secondary side of AC-DC power supplies. This includes notebook PC adapters, game consoles, servers, desktop PCs, flat-panel displays. It also includes DC-DC power supplies for communication equipment, servers and data centers. They feature high-speed switching, small gate charge, and low drain-source on-resistance. These MOSFETs are fabricated with the latest Gen-8 and Gen-9 trench MOS processes. The U-MOSIX-H Low Voltage MOSFETs will help improve the efficiency of power supplies.Learn More
Bild Teil # Beschreibung
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Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
1985
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1
1,22 $
1,22 $
10
0,98 $
9,78 $
100
0,86 $
85,60 $
500
0,66 $
332,00 $
1000
0,52 $
524,00 $
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