TSM320N03CX RFG

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Taiwan Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

5.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

27 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

400 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

4.5 V

Qg - Gate-Ladung:

8.9 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.8 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Taiwan Halbleiter

Abfallzeit:

28 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

32 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

19 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5.8 ns

Gewichtseinheit:

0.000282 oz

Tags

TSM320, TSM32, TSM3, TSM