IXTA3N100D2HV-TRL

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263HV-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

1 kV

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

6 Ohms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

0 V

Qg - Gate-Ladung:

37.5 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

125 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erschöpfung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

IXYS

Abfallzeit:

40 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

67 ns

Werkspackungsmenge:

800

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

34 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

27 ns

Tags

IXTA3N100D, IXTA3N10, IXTA3N1, IXTA3N, IXTA3, IXTA, IXT