TSM3457CX6 RFG

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Taiwan Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-26-6

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

82 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

4.5 V

Qg - Gate-Ladung:

9.52 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 P-Channel

Marke:

Taiwan Halbleiter

Abfallzeit:

3.87 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

2.33 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

22.53 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10.8 ns

Gewichtseinheit:

0.000529 oz

Tags

TSM3457CX6R, TSM3457C, TSM3457, TSM345, TSM34, TSM3, TSM