IXFN32N120P

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Chassishalterung

Paket / Koffer:

SOT-227-4

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

1.2 kV

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

32 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

310 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

6.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

360 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1 kW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

HiPerFET

Verpackung:

Rohr

Höhe:

12.22 mm

Länge:

38.23 mm

Serie:

IXFN32N120

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

Polar HiPerFET Leistungs-MOSFET

Breite:

25.42 mm

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

17 S

Abfallzeit:

58 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

62 ns

Werkspackungsmenge:

10

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

88 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

70 ns

Gewichtseinheit:

1.058219 oz

Tags

IXFN32N1, IXFN32N, IXFN32, IXFN3, IXFN, IXF