IRF7707GTRPBF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TSSOP-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

7 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

22 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.2 V

Qg - Gate-Ladung:

47 nC

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.5 W

Aufbau:

Single

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.2 mm

Länge:

4.4 mm

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

3 mm

Marke:

Infineon / IR

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

15 S

Abfallzeit:

207 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

81 ns

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

MOSFETs

Teil # Aliase:

SP001565642

Gewichtseinheit:

0.005573 oz

Tags

IRF7707, IRF770, IRF77, IRF7, IRF