IXTX210P10T

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

PLUS-247-3

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

210 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

7.5 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

15 V

Qg - Gate-Ladung:

740 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.04 kW

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

GrabenP

Verpackung:

Rohr

Höhe:

21.34 mm

Länge:

16.13 mm

Serie:

IXTX210P10

Typ:

TrenchP Leistungs-MOSFET

Breite:

5.21 mm

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

90 S

Abfallzeit:

55 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

98 ns

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

165 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

90 ns

Gewichtseinheit:

0.056438 oz

Tags

IXTX2, IXTX, IXT