DMG4413LSS-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOIC-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

12 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

7.5 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

46 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.5 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

DMG4413L

Transistortyp:

1 P-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

26 S

Abfallzeit:

66 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

9 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

160 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

15 ns

Gewichtseinheit:

0.030018 oz

Tags

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