NTMYS3D3N06CLTWG

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

LFPAK-4

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

133 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

3 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

18.4 nC, 40.7 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

100 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erschöpfung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1-N-Channel

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

130 S

Abfallzeit:

96 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

58 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

66 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

15 ns

Tags

NTMY, NTM