SI1967DH-T1-E3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-363-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1.3 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

490 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

400 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Qg - Gate-Ladung:

4 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.25 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

TrenchFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

1 mm

Länge:

2.1 mm

Serie:

SI1

Transistortyp:

2 P-Channel

Breite:

1.25 mm

Marke:

Vishay / Siliconix

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

2 S

Abfallzeit:

10 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

27 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

15 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

12 ns

Teil # Aliase:

SI1967DH-E3

Gewichtseinheit:

0.000265 oz

Tags

SI1967DH-T, SI1967, SI196, SI19, SI1