A2T18S262W12NR3

A2T18S262W12NR3
Mfr. #:
A2T18S262W12NR3
Hersteller:
NXP Semiconductors
Beschreibung:
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 56 W Avg., 28 V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
A2T18S262W12NR3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
A2T18S262W12NR3 Mehr Informationen A2T18S262W12NR3 Product Details
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
NXP
Produktkategorie:
HF-MOSFET-Transistoren
RoHS:
Y
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Technologie:
Si
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
3.2 A
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
- 500 mV, 65 V
Gewinnen:
19.3 dB
Ausgangsleistung:
56 W
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
OM-880X-2
Verpackung:
Spule
Arbeitsfrequenz:
1805 MHz to 1880 MHz
Typ:
HF-Leistungs-MOSFET
Marke:
NXP Semiconductors
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Feuchtigkeitsempfindlich:
ja
Produktart:
HF-MOSFET-Transistoren
Werkspackungsmenge:
250
Unterkategorie:
MOSFETs
Vgs - Gate-Source-Spannung:
- 6 V, 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
1.4 V
Teil # Aliase:
935346497528
Gewichtseinheit:
0.133706 oz
Tags
A2T18S2, A2T18S, A2T18, A2T1, A2T
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*** Semiconductors SCT
Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 56 W Avg., 28 V, FM4F, RoHS
***i-Key
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
***hardson RFPD
RF POWER TRANSISTOR
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
A2T18S262W12NR3
DISTI # A2T18S262W12NR3-ND
NXP SemiconductorsAIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
RoHS: Compliant
Min Qty: 250
Container: Tape & Reel (TR)
Temporarily Out of Stock
  • 250:$67.6754
A2T18S262W12NR3
DISTI # A2T18S262W12NR3
Avnet, Inc.AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTOR 1805-1880 MHz, 56 W AVG., 28 V - Tape and Reel (Alt: A2T18S262W12NR3)
RoHS: Compliant
Min Qty: 250
Container: Reel
Americas - 0
  • 2500:$64.6900
  • 1500:$65.8900
  • 1000:$68.3900
  • 500:$71.1900
  • 250:$74.0900
A2T18S262W12NR3
DISTI # 771-A2T18S262W12NR3
NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 56 W Avg., 28 V
RoHS: Compliant
0
  • 250:$62.9600
Bild Teil # Beschreibung
A2T18S261W12NR3

Mfr.#: A2T18S261W12NR3

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RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 56 W Avg., 28 V
A2T18S260-12SR3

Mfr.#: A2T18S260-12SR3

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RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1995 MHz, 50 W Avg., 28 V
A2T18S260W12NR3

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RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 56 W Avg., 28 V
A2T18S262W12NR3

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RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 56 W Avg., 28 V
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RF MOSFET Transistors AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1805-1880 MHz, 56 W AVG, 28 V
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OMO.#: OMO-A2T18S260W12N-1190

Neu und Original
A2T18S261W12N

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Neu und Original
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AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
A2T18S260-12SR3

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AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
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AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
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