ZXMN3A04DN8TA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

8.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

30 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.15 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.5 mm

Länge:

5 mm

Serie:

ZXMN3A

Transistortyp:

2 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

4 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

20.2 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

6.1 ns

Werkspackungsmenge:

500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

38.1 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5.2 ns

Gewichtseinheit:

0.002610 oz

Tags

ZXMN3A04DN, ZXMN3A04D, ZXMN3A04, ZXMN3A0, ZXMN3A, ZXMN3, ZXMN, ZXM