DMC3025LSDQ-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

8.5 A, 5.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

20 mOhms, 45 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V, 2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

9.8 nC, 10.5 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.5 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

8 S, 5 S

Abfallzeit:

5.8 ns, 12.4 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

4.2 ns, 4.9 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

16.6 ns, 28.4 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

3.9 ns, 6.8 ns

Gewichtseinheit:

0.000282 oz

Tags

DMC3025LS, DMC3025, DMC302, DMC30, DMC3, DMC