BSD840N H6327

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-363-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

880 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

270 mOhms, 270 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

300 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Qg - Gate-Ladung:

260 pC, 260 pC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

500 mW (1/2 W)

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.9 mm

Länge:

2 mm

Serie:

BSD840

Transistortyp:

2 N-Channel

Breite:

1.25 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

2.5 S, 2.5 S

Abfallzeit:

900 ps, 900 ps

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

2.2 ns, 2.2 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

7.8 ns, 7.8 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

1.9 ns, 1.9 ns

Teil # Aliase:

BSD840NH6327XTSA1 BSD84NH6327XT SP000917654

Gewichtseinheit:

0.000265 oz

Tags

BSD840NH, BSD84, BSD8, BSD