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BSM50GB120DN2

BSM50GB120DN2
Mfr. #:
BSM50GB120DN2
Hersteller:
Infineon Technologies
Beschreibung:
IGBT Modules 1200V 50A DUAL
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
BSM50GB120DN2 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Infineon
Produktkategorie:
IGBT-Module
RoHS:
Y
Produkt:
IGBT Silizium Module
Aufbau:
Halbbrücke
Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:
1200 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:
2.5 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 C:
78 A
Gate-Emitter-Leckstrom:
200 nA
Pd - Verlustleistung:
400 W
Paket / Koffer:
Half Bridge1
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Verpackung:
Tablett
Höhe:
30.5 mm
Länge:
94 mm
Breite:
34 mm
Marke:
Infineon-Technologien
Montageart:
Chassishalterung
Maximale Gate-Emitter-Spannung:
20 V
Produktart:
IGBT-Module
Werkspackungsmenge:
10
Unterkategorie:
IGBTs
Teil # Aliase:
BSM50GB120DN2HOSA1 SP000095922
Tags
BSM50GB120DN2, BSM50GB120DN, BSM50GB120D, BSM50GB120, BSM50GB12, BSM50GB1, BSM50GB, BSM50G, BSM5, BSM
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ser
IGBT - Standard Modules 1200V, 50A, DUAL
***nell
IGBT MODULE, DUAL, 1200V; Transistor type:Series IGBT(Half bridge) + Freewheel Diodes; Voltage, Vces:1200V; Current, Ic continuous a max:50A; Voltage, Vce sat max:3V; Power dissipation:400W; Case style:Half Bridge 1; Case style, alternate:M34a; Current, Icm pulsed:100A; Power, Pd:400W; Temperature, current:80°C; Termination Type:Screw; Time, fall:100ns; Time, rise:100ns; Voltage, Vceo:1200V
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
BSM50GB120DN2HOSA1
DISTI # V36:1790_18204614		Infineon Technologies AGBSM50GB120DN2HOSA10
  • 10000:$57.2200
  • 5000:$57.2300
  • 1000:$60.7800
  • 100:$70.0100
  • 10:$71.7600
BSM50GB120DN2HOSA1
DISTI # BSM50GB120DN2HOSA1-ND		Infineon Technologies AGIGBT 2 MED POWER 34MM-1
Min Qty: 10
Container: Tray		Limited Supply - Call
  • 10:$71.7560
BSM50GB120DN2
DISTI # SP000095922		Infineon Technologies AGTrans IGBT Module N-CH 1200V 78A ±20V Screw Mount (Alt: SP000095922)
Min Qty: 1		Europe - 691
    BSM 50 GB 120 DN2
    DISTI # BSM50GB120DN2    		Infineon Technologies AGTrans IGBT Module N-CH 1.2kV 78A 7-Pin 34mm (Alt: BSM50GB120DN2)
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 10    		Asia - 0
    • 500:$59.7570
    • 250:$60.5231
    • 100:$61.3091
    • 50:$62.1158
    • 30:$63.7946
    • 20:$65.5667
    • 10:$67.4400
    BSM50GB120DN2HOSA1
    DISTI # BSM50GB120DN2HOSA1    		Infineon Technologies AGTrans IGBT Module N-CH 1.2kV 50A nom - Trays (Alt: BSM50GB120DN2HOSA1)
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 10
    Container: Tray    		Americas - 0
      BSM50GB120DN2
      DISTI # 641-BSM50GB120DN2      		Infineon Technologies AGIGBT Modules 1200V 50A DUAL
      RoHS: Compliant      		0
        BSM50GB120DN2HOSA1
        DISTI # XSKDRABV0052102        		Infineon Technologies AG 
        RoHS: Compliant        		547 in Stock0 on Order
        • 547:$82.3500
        • 10:$88.2400
        BSM50GB120DN2
        DISTI # 1496954        		Infineon Technologies AGIGBT MODULE, DUAL, 1200V
        RoHS: Compliant        		0
        • 100:$98.9000
        • 25:$106.7100
        • 10:$108.8500
        • 5:$111.7400
        • 1:$113.8400
        Bild Teil # Beschreibung
        BSM50GB60DLC

        Mfr.#: BSM50GB60DLC

        OMO.#: OMO-BSM50GB60DLC

        		 IGBT Modules 600V 50A DUAL
        BSM50GB120DN2

        Mfr.#: BSM50GB120DN2

        OMO.#: OMO-BSM50GB120DN2

        		 IGBT Modules 1200V 50A DUAL
        BSM50GA120D

        Mfr.#: BSM50GA120D

        OMO.#: OMO-BSM50GA120D-1190

        		 Neu und Original
        BSM50GB100DN1

        Mfr.#: BSM50GB100DN1

        OMO.#: OMO-BSM50GB100DN1-1190

        		 Neu und Original
        BSM50GB120N2

        Mfr.#: BSM50GB120N2

        OMO.#: OMO-BSM50GB120N2-1190

        		 Insulated Gate Bipolar Transistor, 78A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
        BSM50GP120BOSA1

        Mfr.#: BSM50GP120BOSA1

        OMO.#: OMO-BSM50GP120BOSA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

        		 IGBT MODULE 1200V 50A
        BSM50GX120DN2

        Mfr.#: BSM50GX120DN2

        OMO.#: OMO-BSM50GX120DN2-1190

        		 Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 50A nom 36-Pin (Alt: SP000100372)
        BSM50GD120DLCBOSA1

        Mfr.#: BSM50GD120DLCBOSA1

        OMO.#: OMO-BSM50GD120DLCBOSA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

        		 Trans IGBT Module N-CH
        BSM50GP60GBOSA1

        Mfr.#: BSM50GP60GBOSA1

        OMO.#: OMO-BSM50GP60GBOSA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

        		 IGBT 2 LOW POWER ECONO3-3
        BSM50GX120DN2BOSA1

        Mfr.#: BSM50GX120DN2BOSA1

        OMO.#: OMO-BSM50GX120DN2BOSA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

        		 LOW POWER ECONO
        Verfügbarkeit
        Aktie:
        Available
        Auf Bestellung:
        2000
        Menge eingeben:
        Der aktuelle Preis von BSM50GB120DN2 dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
        Referenzpreis (USD)
        Menge
        Stückpreis
        ext. Preis
        1
        75,54 $
        75,54 $
        5
        74,15 $
        370,75 $
        10
        72,23 $
        722,30 $
        25
        70,81 $
        1 770,25 $
        100
        65,63 $
        6 563,00 $
        Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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