FCD1300N80Z

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

800 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

4 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.3 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V, 30 V

Qg - Gate-Ladung:

16.2 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

52 W

Aufbau:

Single

Handelsname:

SuperFET II

Verpackung:

Spule

Höhe:

2.39 mm

Länge:

6.73 mm

Serie:

FCD1300N80Z

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

6.22 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

4.5 S

Abfallzeit:

6 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

8.3 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

33 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

14 ns

Gewichtseinheit:

0.009184 oz

Tags

FCD1, FCD