KSC1008GBU

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-92-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

60 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

80 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

8 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

0.2 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

0.7 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

50 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

400

Höhe:

5.33 mm

Länge:

5.2 mm

Verpackung:

Schüttgut

Breite:

4.19 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

0.7 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

40

Pd - Verlustleistung:

800 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.008466 oz

Tags

KSC1008G, KSC1008, KSC100, KSC10, KSC1, KSC