2N6486 PBFREE

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Zentraler Halbleiter

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

40 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

50 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

3.5 V

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

5 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

2N64

DC-Stromverstärkung hFE Max:

150 at 5 A, 4 V

Verpackung:

Schüttgut

Marke:

Zentraler Halbleiter

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

15 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

20 at 5 A, 4 V

Pd - Verlustleistung:

1.8 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

400

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

2N648, 2N64, 2N6