2N4296 PBFREE

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Zentraler Halbleiter

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-66-2

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

250 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

350 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

4 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

1.5 V

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

20 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Serie:

2N42

DC-Stromverstärkung hFE Max:

150 at 50 mA, 10 V

Verpackung:

Rohr

Marke:

Zentraler Halbleiter

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

1 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

50 at 50 mA, 10 V

Pd - Verlustleistung:

20 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

2N429, 2N42, 2N4