NVMFS4C302NT1G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8FL-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

241 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.15 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

82 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

115 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

135 S

Abfallzeit:

9 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

18 ns

Werkspackungsmenge:

1500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

54 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

13 ns

Tags

NVMFS4C3, NVMFS4C, NVMFS4, NVMFS, NVMF, NVM