STD24N06LT4G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

24 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

36 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

16 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

1.88 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Höhe:

2.38 mm

Länge:

6.22 mm

Produkt:

Leistungs-MOSFET

Serie:

NTD24N06L

Typ:

-

Breite:

6.73 mm

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

19 S

Abfallzeit:

52 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

97 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

23 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

9.4 ns

Teil # Aliase:

STD24N06LT4G-VF01

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

STD24, STD2, STD