BSR315PL6327HTSA1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

620 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

620 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

6 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

500 mW (1/2 W)

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.1 mm

Länge:

3 mm

Serie:

BSR315

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

1.6 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

500 mS

Abfallzeit:

20 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

28 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

21 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

8 ns

Teil # Aliase:

BSR315P BSR315PL6327XT L6327 SP000265405

Gewichtseinheit:

0.000282 oz

Tags

BSR315, BSR31, BSR3, BSR