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AS6C6416-55TIN

AS6C6416-55TIN
Mfr. #:
AS6C6416-55TIN
Hersteller:
Alliance Memory
Beschreibung:
SRAM 64M 3V 55ns Low Power 4048k x 16
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
AS6C6416-55TIN Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
AS6C6416-55TIN Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Allianzgedächtnis
Produktkategorie:
SRAM
RoHS:
Y
Speichergröße:
64 Mbit
Organisation:
4 M x 16
Zugriffszeit:
55 ns
Oberflächentyp:
Parallel
Versorgungsspannung - Max.:
3.6 V
Versorgungsspannung - Min.:
2.7 V
Versorgungsstrom - Max.:
20 mA
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 85 C
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
TSOP-48
Verpackung:
Tablett
Speichertyp:
Flüchtig
Serie:
AS6C6416-55
Typ:
CMOS mit geringem Stromverbrauch
Marke:
Allianzgedächtnis
Feuchtigkeitsempfindlich:
ja
Produktart:
SRAM
Werkspackungsmenge:
96
Unterkategorie:
Speicher & Datenspeicherung
Tags
AS6C64, AS6C6, AS6C, AS6
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***-Wing Technology
8542.32.00.41 Surface Mount Tray 4MX16 ic memory 55ns 12mm 67108864bit 2.7V
***et
SRAM Chip Async Single 3.3V 64M-Bit 4M X 16 55ns 48-Pin TSOP-I Tray
***se
64M LOW POWER 408K X 16 3V 48PIN TSOP I INDUSTRIAL TEMP
***i-Key
IC SRAM 64MBIT PARALLEL 48TSOP I
***DA Technology Co., Ltd.
Product Description Demo for Development.
Low Power CMOS SRAM
Alliance Memory Low Power Asynchronous Static Random Access Memory (SRAM) devices are fabricated using high-performance, high-reliability CMOS technology. Alliance Memory CMOS SRAM devices are designed for low-power applications and are particularly well-suited for battery backup nonvolatile memory applications. AS6C8008 is a 8,388,608-bit device organized as 1,048,576 words by 8-bits. AS6C1616 is a 16,777,216-bit device organized as 1,048,576 words by 16-bits. AS6C6264A is a 65,536-bit device organized as 8,192 words by 8 bits. AS6C62256 is a 262,144-bit device organized as 32,768 words by 8-bits. Available in different packages/cases.
Bild Teil # Beschreibung
AT24CM02-SSHM-T

Mfr.#: AT24CM02-SSHM-T

OMO.#: OMO-AT24CM02-SSHM-T

 EEPROM 1.7-5.5V, 1MHz, Ind Tmp, 8-SOIC-N
ESDS314DBVR

Mfr.#: ESDS314DBVR

OMO.#: OMO-ESDS314DBVR

 TVS Diodes / ESD Suppressors Data-Line Surge and ESD Protection Diode Array 5-SOT-23 -40 to 125
ISO7760FDBQR

Mfr.#: ISO7760FDBQR

OMO.#: OMO-ISO7760FDBQR

 Digital Isolators ISO7760FDBQ 6CH - DIGITAL ISOLATORS
ISO7730DBQR

Mfr.#: ISO7730DBQR

OMO.#: OMO-ISO7730DBQR

 Digital Isolators MYNA BASED ISOLATOR - 3CH
TLV75725PDBVR

Mfr.#: TLV75725PDBVR

OMO.#: OMO-TLV75725PDBVR

 LDO Voltage Regulators 1A LDO
NC7FXX-B

Mfr.#: NC7FXX-B

OMO.#: OMO-NC7FXX-B-716

 XLR Connectors 7P FEM BLACK HOUSE GOLD CONTACTS
NC7MXX-B

Mfr.#: NC7MXX-B

OMO.#: OMO-NC7MXX-B-716

 XLR Connectors 7P MALE BLACK HOUSE GOLD CONTACTS
DRV5055A3QLPGM

Mfr.#: DRV5055A3QLPGM

OMO.#: OMO-DRV5055A3QLPGM-TEXAS-INSTRUMENTS

 Hall Effect Sensor 1mA Ratiometric 3.3V/5V 3-Pin TO-92
DRV5056A2QLPGM

Mfr.#: DRV5056A2QLPGM

OMO.#: OMO-DRV5056A2QLPGM-TEXAS-INSTRUMENTS

 Unipolar Linear Hall Effect Senso
ISO7730DBQR

Mfr.#: ISO7730DBQR

OMO.#: OMO-ISO7730DBQR-TEXAS-INSTRUMENTS

 ISO7730DBQR
Verfügbarkeit
Aktie:
274
Auf Bestellung:
2257
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1
28,94 $
28,94 $
5
27,58 $
137,90 $
10
26,96 $
269,60 $
25
26,66 $
666,50 $
50
26,00 $
1 300,00 $
100
22,83 $
2 283,00 $
250
21,47 $
5 367,50 $
500
20,58 $
10 290,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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