BSV236SP L6327

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

GaN

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-363-6

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

175 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

560 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.9 mm

Länge:

2 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

BSV236

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

1.25 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Abfallzeit:

8.5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

8.5 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

14.1 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5.7 ns

Teil # Aliase:

BSV236SPL6327HTSA1

Gewichtseinheit:

0.000265 oz

Tags

BSV23, BSV2, BSV