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FDB2570

FDB2570
Mfr. #:
FDB2570
Hersteller:
ON Semiconductor / Fairchild
Beschreibung:
MOSFET
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
FDB2570 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
FDB2570 DatasheetFDB2570 Datasheet (P4-P5)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
ON Semiconductor
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
TO-263-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
150 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
22 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
80 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 65 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 175 C
Pd - Verlustleistung:
93 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Verpackung:
Spule
Höhe:
4.83 mm
Länge:
10.67 mm
Transistortyp:
1 N-Channel
Typ:
MOSFET
Breite:
9.65 mm
Marke:
ON Semiconductor / Fairchild
Vorwärtstranskonduktanz - Min:
39 S
Abfallzeit:
23 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
5 ns
Werkspackungsmenge:
800
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
33 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
12 ns
Gewichtseinheit:
0.050717 oz
Tags
FDB2570, FDB257, FDB25, FDB2, FDB
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***et
NChannel150V22ATa93WTcSurfaceMountDPAKTO263AB
***iKey
MOSFETNCH150V22ATO263AB
***elNordic
Contactfordetails
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
FDB2570
DISTI # FDB2570-ND		ON SemiconductorMOSFET N-CH 150V 22A TO-263AB
RoHS: Compliant
Min Qty: 800
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    FDB2570
    DISTI # 512-FDB2570    		ON SemiconductorMOSFET
    RoHS: Compliant    		0
      FDB2570Fairchild Semiconductor CorporationPower Field-Effect Transistor, 22A I(D), 150V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
      RoHS: Compliant      		4529
      • 1000:$1.4200
      • 500:$1.5000
      • 100:$1.5600
      • 25:$1.6200
      • 1:$1.7500
      FDB2570Fairchild Semiconductor Corporation22 A, 150 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB773
      • 523:$1.0580
      • 243:$1.1500
      • 1:$2.7600
      Bild Teil # Beschreibung
      FDB2572

      Mfr.#: FDB2572

      OMO.#: OMO-FDB2572-ON-SEMICONDUCTOR

      		 Darlington Transistors MOSFET N-Channel UltraFET
      FDB110N08

      Mfr.#: FDB110N08

      OMO.#: OMO-FDB110N08-1190

      		 Neu und Original
      FDB20AN06N

      Mfr.#: FDB20AN06N

      OMO.#: OMO-FDB20AN06N-1190

      		 Neu und Original
      FDB5680

      Mfr.#: FDB5680

      OMO.#: OMO-FDB5680-1190

      		 Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 60V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
      FDB6030BLFSC

      Mfr.#: FDB6030BLFSC

      OMO.#: OMO-FDB6030BLFSC-1190

      		 Neu und Original
      FDB6030L-NL

      Mfr.#: FDB6030L-NL

      OMO.#: OMO-FDB6030L-NL-1190

      		 Neu und Original
      FDB7030B

      Mfr.#: FDB7030B

      OMO.#: OMO-FDB7030B-1190

      		 Neu und Original
      FDB8870-NL

      Mfr.#: FDB8870-NL

      OMO.#: OMO-FDB8870-NL-1190

      		 Neu und Original
      FDB9403-F085

      Mfr.#: FDB9403-F085

      OMO.#: OMO-FDB9403-F085-ON-SEMICONDUCTOR

      		 MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB
      FDB9N30

      Mfr.#: FDB9N30

      OMO.#: OMO-FDB9N30-1190

      		 Neu und Original
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      Available
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