IPN60R1K0CEATMA1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-223-4

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

6.8 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2.34 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

13 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 40 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

5 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

CoolMOS

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.6 mm

Länge:

6.5 mm

Serie:

CoolMOS CE

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

3.5 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Abfallzeit:

13 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

8 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

60 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10 ns

Teil # Aliase:

IPN60R1K0CE SP001434884

Gewichtseinheit:

0.003951 oz

Tags

IPN60R1, IPN60, IPN6, IPN