BSS126 H6327

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

21 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

500 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.7 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

2.1 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

500 mW (1/2 W)

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erschöpfung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.1 mm

Länge:

2.9 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

BSS126

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

1.3 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

8 mS

Abfallzeit:

115 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

9.7 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

14 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6.1 ns

Teil # Aliase:

BSS126H6327XT BSS126H6327XTSA2 SP000919334

Gewichtseinheit:

0.001199 oz

Tags

BSS126H63, BSS126H, BSS126, BSS12, BSS1, BSS