APT8M100B

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Mikrochip

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

1 kV

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

8 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.53 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

60 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

290 W

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

POWER MOS 8

Verpackung:

Rohr

Höhe:

5.31 mm

Länge:

21.46 mm

Breite:

16.26 mm

Marke:

Mikrochip / Mikrosemi

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

7.5 S

Abfallzeit:

7.2 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

7.8 ns

Werkspackungsmenge:

1

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

29 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

8.5 ns

Gewichtseinheit:

1.340411 oz

Tags

APT8, APT