FQD6N40CTM_NBEA002

FQD6N40CTM_NBEA002
Mfr. #:
FQD6N40CTM_NBEA002
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Beschreibung:
IGBT Transistors MOSFET 400V N-Channel QFET
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
FQD6N40CTM_NBEA002 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Fairchild Semiconductor
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
Verpackung
Spule
Gewichtseinheit
0.009184 oz
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
TO-252-3
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single
Transistor-Typ
1 N-Channel
Pd-Verlustleistung
2.5 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
38 ns
Anstiegszeit
65 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
30 V
ID-Dauer-Drain-Strom
4.5 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
400 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
1 Ohms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
21 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
13 ns
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
FQD6N40CTM-N, FQD6N40CTM, FQD6N40CT, FQD6N40C, FQD6N4, FQD6N, FQD6, FQD
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Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
FQD6N40CTM-NBEA002
DISTI # 512-FQD6N40CTMNBEA02
ON SemiconductorMOSFET 400V N-Channel QFET
RoHS: Compliant
2388
  • 1:$1.0300
  • 10:$0.8740
  • 100:$0.6710
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Bild Teil # Beschreibung
FQD6N40CTM

Mfr.#: FQD6N40CTM

OMO.#: OMO-FQD6N40CTM

MOSFET 400V N-Channel Advance QFET
FQD6N40CTF

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OMO.#: OMO-FQD6N40CTF-ON-SEMICONDUCTOR

MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK
FQD6N40CTM

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MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK
FQD6N40CTM-NL

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OMO.#: OMO-FQD6N40CTM-NL-1190

Neu und Original
FQD6N40CTM_NBEA002

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IGBT Transistors MOSFET 400V N-Channel QFET
FQD6N40CTM-CUT TAPE

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Neu und Original
FQD6N40CTM-NBEA002

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MOSFET 400V N-Channel QFET
Verfügbarkeit
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