SI7958DP-T1-GE3

SI7958DP-T1-GE3
Mfr. #:
SI7958DP-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
IGBT Transistors MOSFET Dual N-Ch 40V 16.5mohm @ 10V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI7958DP-T1-GE3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Vishay Siliconix
Produktkategorie
FETs - Arrays
Serie
GrabenFETR
Verpackung
Digi-ReelR
Teil-Aliasnamen
SI7958DP-GE3
Gewichtseinheit
0.017870 oz
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
PowerPAKR SO-8 Dual
Technologie
Si
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Oberflächenmontage
Anzahl der Kanäle
2 Channel
Lieferanten-Geräte-Paket
PowerPAKR SO-8 Dual
Aufbau
Dual
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
Leistung max
1.4W
Transistor-Typ
2 N-Channel
Drain-zu-Source-Spannung-Vdss
40V
Eingangskapazität-Ciss-Vds
-
FET-Funktion
Logik-Level-Gate
Strom-Dauer-Drain-Id-25°C
7.2A
Rds-On-Max-Id-Vgs
16.5 mOhm @ 11.3A, 10V
Vgs-th-Max-Id
3V @ 250μA
Gate-Lade-Qg-Vgs
75nC @ 10V
Pd-Verlustleistung
1.4 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
17 ns
Anstiegszeit
17 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
20 V
ID-Dauer-Drain-Strom
7.2 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
40 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
16.5 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
66 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
17 ns
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
SI7958DP-T1, SI7958DP-T, SI7958D, SI7958, SI795, SI79, SI7
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
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Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 40V 7.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
***nell
DUAL N CHANNEL MOSFET, 40V, 11.3A
***ment14 APAC
DUAL N CHANNEL MOSFET, 40V, 11.3A; Trans; DUAL N CHANNEL MOSFET, 40V, 11.3A; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id, N Channel:7.2A; Drain Source Voltage Vds, N Channel:40V; On Resistance Rds(on), N Channel:0.013ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI7958DP-T1-GE3
DISTI # SI7958DP-T1-GE3TR-ND
Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    SI7958DP-T1-GE3
    DISTI # SI7958DP-T1-GE3CT-ND
    Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Cut Tape (CT)
    Limited Supply - Call
      SI7958DP-T1-GE3
      DISTI # SI7958DP-T1-GE3DKR-ND
      Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 1
      Container: Digi-Reel®
      Limited Supply - Call
        SI7958DP-T1-GE3
        DISTI # 781-SI7958DP-T1-GE3
        Vishay IntertechnologiesMOSFET Dual N-Ch 40V 16.5mohm @ 10V
        RoHS: Compliant
        0
          SI7958DP-T1-GE3
          DISTI # 1837410
          Vishay IntertechnologiesDUAL N CHANNEL MOSFET, 40V, 11.3A
          RoHS: Compliant
          0
          • 3000:£1.1400
          Bild Teil # Beschreibung
          SI7958DP-T1-GE3

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          MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI7288DP-T1-GE3
          SI7958DP-T1-E3

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          MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI7288DP-T1-GE3
          SI7958DP-T1-E3

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          OMO.#: OMO-SI7958DP-T1-E3-VISHAY

          IGBT Transistors MOSFET DUAL N-CH 40V (D-S)
          SI7958DP-T1-GE3

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          IGBT Transistors MOSFET Dual N-Ch 40V 16.5mohm @ 10V
          SI7958DP

          Mfr.#: SI7958DP

          OMO.#: OMO-SI7958DP-1190

          Neu und Original
          SI7958DP-T1

          Mfr.#: SI7958DP-T1

          OMO.#: OMO-SI7958DP-T1-1190

          Trans MOSFET N-CH 40V 7.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Tape and Reel (Alt: SI7958DP-T1)
          SI7958DP-T1-F3

          Mfr.#: SI7958DP-T1-F3

          OMO.#: OMO-SI7958DP-T1-F3-1190

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          SI7958DP-TI-E3

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          0,00 $
          0,00 $
          1000
          0,00 $
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