IPU60R1K5CEBKMA1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-251-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3.1 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.5 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

9.4 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 40 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

28 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

CoolMOS

Verpackung:

Rohr

Höhe:

6.22 mm

Länge:

6.73 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

2.38 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Abfallzeit:

20 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

7 ns

Werkspackungsmenge:

1500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

40 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

8 ns

Teil # Aliase:

IPU60R1K5CE SP001276062

Gewichtseinheit:

0.012102 oz

Tags

IPU60R1K5, IPU60R1, IPU60R, IPU60, IPU6, IPU