SSM6P41FE(TE85L,F)

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-563-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

720 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

300 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Qg - Gate-Ladung:

1.76 nC

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

150 mW

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.55 mm

Länge:

1.6 mm

Serie:

SSM6P41FE

Transistortyp:

2 P-Channel

Breite:

1.2 mm

Marke:

Toshiba

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

850 mS

Produktart:

MOSFET

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

38 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

11 ns

Tags

SSM6P4, SSM6P, SSM6, SSM