MMST4124-7-F

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-323-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

25 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

30 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

0.3 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

0.2 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

300 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

MMST41

DC-Stromverstärkung hFE Max:

360

Höhe:

1 mm

Länge:

2.2 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

1.35 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

0.2 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

120

Pd - Verlustleistung:

200 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.000176 oz

Tags

MMST4124-7, MMST4124, MMST41, MMST4, MMST, MMS