DMP210DUFB4-7B

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

X2-DFN1006-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

200 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

15 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

350 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

DMP210

Transistortyp:

1 P-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

31.5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

19.3 ns

Werkspackungsmenge:

10000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

25.9 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

7.7 ns

Tags

DMP210DUF, DMP210D, DMP210, DMP21, DMP2, DMP