US6M2GTR

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TUMT-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V, 20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1.5 A, 1 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

170 mOhms, 280 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.5 V, 2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

4.5 V

Qg - Gate-Ladung:

1.6 nC, 2.1 nC

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marke:

ROHM Halbleiter

Abfallzeit:

6 ns, 10 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

9 ns, 8 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

15 ns, 25 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

7 ns, 9 ns

Tags

US6M2GT, US6M2G, US6M2, US6M, US6