BSZ180P03NS3 G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TSDSON-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

39.6 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

13.5 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3.1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

25 V

Qg - Gate-Ladung:

30 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

40 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

OptiMOS

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.1 mm

Länge:

3.3 mm

Serie:

OptiMOS P3

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

3.3 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

18 S

Abfallzeit:

3 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

11 ns

Werkspackungsmenge:

5000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

20 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

11 ns

Teil # Aliase:

BSZ180P03NS3GATMA1 BSZ18P3NS3GXT SP000709744

Tags

BSZ180P03NS3G, BSZ18, BSZ1, BSZ