FDD6637-F085

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

35 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

55 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

11.6 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

25 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

3.1 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Handelsname:

PowerTrench

Höhe:

2.39 mm

Länge:

6.73 mm

Serie:

FDD6637_F085

Transistortyp:

1 P-Channel

Typ:

Power Trench MOSFET

Breite:

6.22 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

35 S

Abfallzeit:

36 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

10 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

62 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

18 ns

Teil # Aliase:

FDD6637_F085

Gewichtseinheit:

0.009184 oz

Tags

FDD6637, FDD663, FDD66, FDD6, FDD